關于組織申報2019年度廣東省重點領域研發計劃“第三代半導體材料與器件”重大專項項目的通知

省直有關部門、各地級以上市科技局(委)、各有關單位：

　　為全面貫徹落實黨的十九大和習近平總書記關于加強關鍵核心技術攻關的系列重要講話精神，按照省第十二次黨代會、十二屆四次、六次全會和全省科技創新大會相關部署，根據《廣東省重點領域研發計劃實施方案》，現啟動2019年度廣東省重點領域研發計劃“第三代半導體材料與器件”重大專項項目申報工作。有關事項通知如下：

　　一、申報要求

　　(一)項目申報單位(包括科研院所、高校、企業、其他事業單位和行業組織等)應注重產學研結合、整合省內外優勢資源。申報單位為省外地區的，項目評審與廣東省內單位平等對待，港澳地區高校院所按照《廣東省科學技術廳廣東省財政廳關于香港特別行政區、澳門特別行政區高等院校和科研機構參與廣東省財政科技計劃(專項、基金等)組織實施的若干規定(試行)》(粵科規范字〔2019〕1號)文件精神納入相應范圍。

　　省外單位牽頭申報的，經競爭性評審，擇優納入科技計劃項目庫管理。入庫項目在滿足科研機構、科研活動、主要團隊到廣東落地，且項目知識產權在廣東申報、項目成果在廣東轉化等條件后，給予立項支持。

　　(二)堅持需求導向和應用導向。鼓勵企業牽頭申報，牽頭企業原則上應為高新技術企業或龍頭骨干企業，建有研發機構，在本領域擁有國家級、省部級重大創新平臺，且以本領域領軍人物作為項目負責人。鼓勵加大配套資金投入，企業牽頭申報的，項目總投入中自籌經費原則上不少于70%;非企業牽頭申報的，項目總投入中自籌經費原則上不少于50%(自籌經費主要由參與申報的企業出資)。

　　(三)省重點領域研發計劃申報單位總體不受在研項目數的限項申報約束，項目應依托在該領域具有顯著優勢的單位，加強資源統籌和要素整合，集中力量開展技術攻關。不鼓勵同一單位或同一研究團隊分散力量、在同一專項中既牽頭又參與多個項目申報，否則納入科研誠信記錄并進行相應處理。

　　(四)項目負責人應起到統籌領導作用，能實質性參與項目的組織實施，防止出現拉本領域高端知名專家掛名現象。

　　(五)項目內容須真實可信，不得夸大自身實力與技術、經濟指標。各申報單位須對申報材料的真實性負責，要落實《關于進一步加強科研誠信建設的若干意見》(廳字〔2018〕23號)要求，加強對申報材料審核把關，杜絕夸大不實，甚至弄虛作假。各申報單位、項目負責人須簽署《申報材料真實性承諾函》(模板可在陽光政務平臺系統下載，須加蓋單位公章)。項目一經立項，技術、產品、經濟等考核指標無正當理由不予修改調整。

　　(六)申報單位應認真做好經費預算，按實申報，且應符合申報指南有關要求。牽頭承擔單位原則上應承擔項目的核心研究任務，分配最大份額的項目資金。項目研究成果須在廣東轉化和產業化。

　　(七)有以下情形之一的項目負責人或申報單位不得進行申報或通過資格審查：

　　1.項目負責人有廣東省級科技計劃項目3項以上(含3項)未完成結題或有項目逾期一年未結題(平臺類、普惠性政策類、后補助類項目除外);

　　2.項目負責人有在研廣東省重大科技專項項目、重點領域研發計劃項目未完成驗收結題(此類情形下該負責人還可作為項目組成員參與項目申報);

　　3.在省級財政專項資金審計、檢查過程中發現重大違規行為;

　　4.同一項目通過變換課題名稱等方式進行多頭或重復申報;

　　5.項目主要內容已由該單位單獨或聯合其他單位申報并已獲得省科技計劃立項;

　　6.省內單位項目未經科技主管部門組織推薦;

　　7.有尚在懲戒執行期內的科研嚴重失信行為記錄和相關社會領域信用“黑名單”記錄;

　　8.違背科研倫理道德。

　　二、專題內容

　　本專項重點部署6個專題，專題1-5部署8個項目，申報時研究內容必須涵蓋該專題(項目)下所列的全部內容，項目完成時應完成該專題(項目)下所列所有考核指標。項目實施周期為3-4年，參研單位總數不得超過10個。專題6設4個課題，由項目單位提出具體研究內容和可考核的技術、經濟指標，每個課題原則上支持1項，同一單位(含全資、參股、控股關聯單位)支持不超過1項(高校除外)。所有專題除特殊說明外，鼓勵大企業聯合創新型中小企業、高校、科研院所等，產學研合作申報。

　　專題1：第三代半導體材料生長技術和關鍵設備(專題編號：20190169)

　　項目1.1：高質量氮化鎵單晶材料制備及關鍵技術研究

　　研究內容：

　　1)研究高質量低位錯氮化鎵(GaN)單晶襯底的關鍵制備技術：研究GaN的初始成核與生長中的位錯拐彎與合攏的基本過程與形成機理，以及外延生長區流場溫場的調控對晶體位錯、應力形成的影響與優化;

　　2)研究4-6英寸GaN單晶襯底的批量制造關鍵技術：研究大尺寸GaN單晶層的無裂紋外延生長及其分離技術，研究GaN單晶襯底的表面加工處理工藝實現epi-ready納米級表面，研究工藝的穩定重復性;

　　3)研究GaN同質外延生長過程中的關鍵技術：研究同質外延中的界面調控與應力形成及其優化控制，研究外延層中的晶體成核與位錯密度調控，研究精準摻雜技術及其遷移率調控。

　　考核指標：

　　1)4-6英寸GaN單晶襯底的穩定量產，襯底位錯密度<1×106cm-2(CL5點檢測)，厚度>400μm，總厚度偏差(TTV)小于30μm，曲度(BOW)絕對值小于30μm，表面粗糙度<0.1nm@10μm×10μm，N型摻雜濃度大于1-3×1018cm-3，電阻率小于0.05Ω/cm，遷移率>600cm2/V?s，晶向C面偏M面偏角角度范圍0.35°±0.1°;

　　2)以上指標通過具有國家認證資質的第三方測試機構測試;

　　3)申請發明專利8件，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文;

　　4)實現4英寸氮化鎵單晶襯底產能5000片/年。

　　申報要求：本項目為產業化項目，須企業牽頭申報。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2000萬元。

　　項目1.2：MPCVD半導體金剛石單晶材料生長設備及關鍵工藝技術攻關

　　研究內容：

　　1)開展基于微波誘導腔體共振激發的等離子體行為模擬研究，研制國產大功率微波等離子體化學氣相沉積設備(MPCVD);

　　2)研制國產大功率微波發生器及其輔助設備，提高設備的運行效率;

　　3)通過仿真與工藝實驗優化，攻關大面積金剛石襯底的高速、高質量與高均勻性的生長難題，制備高質量大尺寸單晶金剛石襯底。

　　考核指標：

　　1)研制出國產30kW大功率2.45GHz的頻率發生設備，能量幅值波動小于5%，頻率穩定度在1%;

　　2)研制出國產30kW微波等離子體化學氣相沉積設備，實現大于50μm/h的金剛石生長速率，其N、Si等雜質的含量接近或低于金剛石光致發光光譜的檢測限;

　　3)制備2英寸的單晶金剛石襯底，其(400)晶面的XRD搖擺曲線半高寬小于50弧秒，金剛石的一階拉曼位移半高寬小于4cm-1;

　　4)以上指標通過具有國家認證資質的第三方測試機構測試;

　　5)設備平均故障間隔時間(MTBF)>5000小時;

　　6)申請發明專利10件，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2500萬元。

　　項目1.3：大尺寸氮化鋁襯底材料裝備開發及關鍵工藝研究

　　研究內容：

　　1)應用物理氣相輸運法(PVT)研究大尺寸氮化鋁(AlN)單晶襯底材料，突破4英寸及以上單晶襯底材料裝備開發及關鍵工藝技術;

　　2)應用仿真模擬技術研究熱場及結晶動力學，突破AlN單晶制備中存在的晶體尺寸小、擴徑難、缺陷多、應力大、易開裂、產率低、成本高等多項技術難題;

　　3)開發溫場分區獨立可控技術，研究高質量大尺寸AlN單晶生長關鍵工藝，制備出4英寸及以上的單晶AlN襯底材料;

　　4)開展單晶AlN襯底材料在紫外光探測器和微波功率器件等中的應用。

　　考核指標：

　　1)PVT法AlN晶體爐原理樣機制造。搭建主要由高溫反應腔體系統(溫度≥2300℃)、高純進氣系統、雙溫區加熱系統、坩堝保溫系統、電控系統、監測系統及真空與尾氣處理系統組成的單晶生長爐，完成國內首套4-6英寸PVT法AlN單晶生長爐，實現大于100μm/h的AlN單晶生長速率;

　　2)大尺寸高品質AlN晶體制備技術。在自主搭建的PVT晶體爐上進行4-6英寸AlN晶體生長工藝驗證，獲得(002)和(102)搖擺曲線半高寬≤100弧秒、透過率≥60%@280nm、位錯密度≤1×105cm-2(CL5點檢測)的4英寸及以上的高品質AlN單晶襯底材料;獲得晶體良率>60%、襯底成品率>40%、可規模產業化的PVT法大尺寸AlN單晶制備工藝技術，實現2英寸AlN單晶襯底年產能100片的產業化目標;

　　3)AlN襯底器件驗證?；贏lN襯底制備深紫外LED(240-280nm)器件，應答時間小于1ms，工作電壓小于10V;基于AlN襯底的肖特基二極管(SBD，JBSD)和晶體管(JFET、MOSFET)器件，器件擊穿電壓大于20kV;

　　4)以上指標通過具有國家認證資質的第三方測試機構測試;

　　5)AlN單晶生長爐平均故障間隔時間(MTBF)>3000小時;

　　6)申請發明專利10件，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　申報要求：本項目有產業化目標，須不少于項目總投入50%的自籌經費。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2500萬元。

　　專題2：第三代半導體功率器件、模塊及其應用(專題編號：20190170)

　　項目2.1：新能源汽車碳化硅器件及模塊的研發和產業化

　　研究內容：

　　1)研究開發新一代高功率密度新能源車載功率半導體芯片(1200V)設計和應用技術，建立高溫碳化硅(SiC)MOSFET及二極管芯片物理模型和行為級模型，設計高溫SiC芯片結構，研究解決高溫柵氧等溫度強相關的關鍵工藝，形成一整套工藝流程方案，建立高溫芯片測試能力和測試規范;

　　2)研究針對SiC芯片的高溫封裝模塊及工藝技術，研究燒結銀、高溫管殼、高溫絕緣材料等高溫模塊封裝材料，配合新型SiN絕緣覆銅板技術，實現高溫模塊的更優應力和熱管理效果;

　　3)研究高溫工作條件下的多物理場耦合機制和模型，設計高溫封裝模塊結構，研究高溫條件下的多芯片并聯動態均流，建立高溫模塊測試和可靠性試驗規范;

　　4)研究開發基于SiC的高效一體化水冷技術，提高整體散熱效果和穩定性，降低模塊失效機率;

　　5)研究解決應用于新能源汽車的高溫高功率密度功率半導體的關鍵技術問題。

　　考核指標：

　　1)SiC二極管芯片，最高工作結溫不低于200℃，電壓能力≥1200V，電流能力≥50A;SiCMOSFET芯片，最高工作結溫不低于200℃，電壓能力≥1200V，導通電阻≤40mΩ;

　　2)高溫下的SiCMOSFET的物理模型和行為級模型，仿真精度不低于10%;

　　3)封裝的SiC模塊，最高工作結溫不低于200℃，電壓能力≥1200V，電流能力≥400A;

　　4)新型SiN絕緣覆銅板熱導率不低于24W/m?K;高溫絕緣材料耐高溫不低于225℃;

　　5)以上指標通過具有國家認證資質的第三方測試機構測試;

　　6)高溫SiC芯片和模塊的可靠性滿足汽車標準要求，符合新能源汽車功率模塊驗證標準AEC-Q101&AQG(LV)324;

　　7)申請發明專利不少于10項，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文;

　　8)實現量產和銷售，新增產值5000萬元。

　　申報要求：本項目為產業化項目，須企業牽頭申報。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2000萬元。

　　項目2.2：第三代半導體大功率器件抗輻射加固技術

　　研究內容：

　　針對宇航用高壓功率器件需求，從碳化硅(SiC)材料、器件、試驗等多個層面開展抗輻射SiC功率器件技術研究，深入研究高壓大功率SiC器件輻射損傷機理、表征方法及評價標準等關鍵科學問題，解決高壓大功率SiC器件抗輻射材料加固、器件加固及工藝加固等關鍵技術問題，形成完全自主可控的抗輻射高壓大功率SiC器件制備技術。

　　針對宇航用氮化鎵(GaN)電力電子器件，開展質子、重粒子輻射實驗，揭示GaN器件在輻射效應下的損傷機制;結合材料、器件等對輻射損傷機制的影響，確定影響GaN器件輻射退化的主要因素;在此基礎上，開展GaN器件抗輻射加固設計研究，實現抗輻射加固，滿足我國空天領域對高可靠GaN功率器件的需求。

　　考核指標：

　　1)SiC二極管：BVR≥1200V，IF≥30A，抗總劑量能力達到300krad(Si)，抗單粒子燒毀能力LET≥75MeV?cm2/mg;

　　2)SiCMOSFET：BVDS≥1200V，VTH=(3~5)V，RDS(on)≤80mΩ，抗總劑量能力達到300krad(Si)，抗單粒子燒毀能力LET≥75MeV?cm2/mg;

　　3)GaN功率器件：BVDS=100V?？箍倓┝磕芰_到300krad(Si);抗單粒子燒毀能力LET≥75MeV?cm2/mg;3MeV,1×1014/cm2質子輻射下，器件飽和漏極電流退化≤10%;

　　4)以上指標通過具有國家認證資質的第三方測試機構測試;

　　5)申請發明專利不少于8項，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2000萬元。

　　專題3：6-8英寸硅襯底氮化鎵基射頻功率放大器件關鍵技術研究及應用(專題編號：20190171)

　　研究內容：

　　圍繞5G移動通信低成本高性價比射頻器件的核心技術需求，開展面向6GHz以下和26GHz毫米波段應用的硅(Si)基氮化鎵(GaN)射頻功率放大器件的產業化關鍵技術研究;材料方面，分別開展面向6GHz以下和26GHz毫米波段應用的低射頻損耗6-8英寸Si襯底上GaN基異質結構的外延材料生長技術研究，包括對大尺寸Si襯底上GaN基外延材料的射頻損耗抑制、高耐壓技術、晶圓翹曲、韌性、均勻性、可重復性進行研究;器件方面，立足自主可控，基于國內工藝線，分別開展面向6GHz以下和26GHz毫米波段應用的6-8英寸Si基GaN射頻器件的CMOS兼容的低成本設計與制造技術研究，包括對大尺寸晶圓的離子注入隔離工藝、與CMOS兼容的歐姆接觸工藝、柵電極工藝和微帶線工藝、大柵寬源電極互聯接地工藝、低器件漏電制造工藝、閾值電壓提升工藝、載流子遷移率優化、襯底快速剝離及轉移工藝、Si襯底GaN射頻器件散熱優化等關鍵技術進行研究;可靠性評測方面，研究器件動態電流崩塌的衰退機制及其控制方法;建立異質結構材料與器件的可靠性評價體系，研究器件的失效機理與可靠性提升技術，特別是與JEDEC國際質量標準體系對接。研發適用于高頻射頻功放的新應用。

　　考核指標：

　　1)研制出面向6GHz以下通信用6-8寸Si基GaN異質結構晶圓,(002)、(102)半高寬<300弧秒，材料射頻損耗≤0.1dB/mm@6GHz、方塊電阻≤250Ω/□、方塊電阻不均勻性<3%，翹曲<50μm，邊緣龜裂≤3mm，并形成12000片/年的產能;基于上述晶圓材料，研制出CMOS兼容低成本高性價比Si基GaN射頻功率器件，工作頻率3.4-3.6GHz，飽和功率≥44dBm、飽和效率≥48%、增益≥15dB、壽命≥10年，實現在6-8寸Si基GaN生產線上規模量產的能力，達成良品率批量生產連續三個批次成品率≥90%;

　　2)研制出面向26GHz毫米波通信用6-8寸Si基GaN異質結構晶圓，材料射頻損耗≤0.8dB/mm、方塊電阻≤250Ω/□、翹曲≤50μm、不均勻性≤3%，龜裂≤3mm，并形成12000片/年的產能?；谏鲜鼍A材料，研制出CMOS兼容低成本Si基GaN毫米波功放器件，工作頻率24.75-27.50GHz，飽和功率≥37dBm、飽和效率≥28%、增益≥15dB、壽命≥10年，實現在6-8寸Si基GaN生產線上規模量產的能力，達成良品率批量生產連續三個批次成品率≥90%;

　　3)掌握Si基GaN射頻器件高效、無損傷的襯底快速移除技術和低應力外延膜轉移工藝，解決Si基GaN大功率射頻器件熱導差、高頻損耗高等問題，其中轉移到金屬等高熱導襯底后器件熱阻(結到環境)最大不超過60°/W;

　　4)以上指標通過具有國家認證資質的第三方測試機構測試;

　　5)申請發明專利不少于8項，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　申報要求：本項目有產業化目標，須不少于項目總投入50%的自籌經費。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2500萬元。

　　專題4：深紫外固態光源關鍵技術研究(專題編號：20190172)

　　研究內容：

　　面向高端家電、高端醫療、污水處理等產業領域對環保型高效大功率深紫外固態光源的迫切需求，立足自主技術創新，突破環保型高效大功率深紫外固態光源外延、芯片、封裝、應用的關鍵技術問題，形成具有自主知識產權的環保型高效大功率深紫外固態光源產業化制備成套關鍵技術。

　　1)高品質襯底制備：低位錯密度、低雜質濃度、高表面平整度的4英寸AlN/藍寶石模板制備研究;

　　2)高質量材料外延：基于上述襯底，開展高輻射發光效率深紫外量子阱結構制備和高Al組分AlGaN的高效p型摻雜技術研究;

　　3)研究芯片、封裝技術：基于上述材料，開發出具有優異電學特性和高光提取效率的深紫外芯片結構;開發出高可靠性和高深紫外透過率的新型封裝技術;

　　4)開發系列產品：開展應用于殺菌消毒產品的二次光學設計、流體結構設計、驅動電路設計、散熱設計研究，實現產業化應用。

　　考核指標：

　　1)襯底制備：4英寸AlN/藍寶石模板位錯密度低于1×107cm-2，C、Si、O雜質濃度低于3×1017cm-3，表面粗糙度≤0.3nm@10μm×10μm;

　　2)材料外延：深紫外量子阱內量子效率高于80%，4英寸晶圓上深紫外LED芯片發光波長片內不均勻性在±5nm以內，高Al組分AlGaN(平均Al組分大于等于40%)空穴濃度高于6×1018cm-3;

　　3)芯片封裝：深紫外固態光源芯片光輸出功率>35mW@100mA，開啟電壓低于6V;新型封裝技術265-280nm深紫外透過率達90%-95%以上，壽命達5000-10000h以上;

　　4)以上指標通過具有國家認證資質的第三方測試機構測試;

　　5)應用產品：開發出過流式水殺菌消毒器等多種深紫外固態光源應用產品，并實現規模銷售。新增產值不少于5000萬元;

　　6)申請發明專利不少于8項，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　申報要求：本項目有產業化目標，須不少于項目總投入50%的自籌經費。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2000萬元。

　　專題5：第三代半導體功率芯片、器件、模塊的可靠性分析評價技術研究及關鍵設備開發(專題編號：20190173)

　　研究內容：

　　通過本專題的研究，開發第三代半導體功率器件和模塊的可靠性關鍵分析評價技術，建立一套符合國際和國內標準、滿足應用需求的功率半導體芯片、器件、模塊可靠性分析評價方法體系和檢測與認證方法，并針對第三代半導體功率器件分析評價要求，開發關鍵設備，開展對外分析評價和檢測認證服務，牽頭或參與制定相關檢測分析評價國家標準。

　　1)開發第三代半導體功率芯片、器件和模塊的可靠性分析評價和檢驗檢測技術，建立可靠性分析評價方法體系。開發第三代半導體功率芯片、器件和模塊的關鍵分析評價和檢驗檢測技術，建立可靠性檢測分析評價方法體系，包括芯片電學參數測試、功率循環測試(PowerCycling，PC)、高溫反偏測試(HTRB)、高溫柵極反偏測試(HTGB)、高溫高濕反偏測試(H3TRB)、無損檢測技術等。

　　研究車規級功率循環加速老化測試方法，以IGBT模塊薄弱環節加速試驗為基礎，基于薄弱環節壽命分布與加速因子，研究建立加速試驗加速因子模型及基于加速老化影響參數的壽命模型。結合計算機仿真以及實驗優化，研究第三代半導體功率芯片

　　在測試過程中的結溫精確監測、器件和模塊的功率循環測試壽命預測和加速老化影響因子等關鍵問題。研究機械振動、溫度變化與功率變化等綜合作用下的器件與模塊失效機理，提出基于失效機理與實驗數據融合的功率器件使用壽命預測模型。研究器件熱傳導路徑上各層結構的熱學性能，形成熱測試“X射線”技術，測量器件在熱量累積過程中的老化和降級，滿足電學熱學可靠性一體化的測試分析。

　　2)針對第三代半導體功率器件分析評價要求，開發功率循環測試設備，實現器件及模塊的功率循環壽命評價測試。

　　3)制定第三代半導體功率器件的檢測分析標準。依據國際及國內的可靠性測試方法標準：IEC60749，JESD22A，MIL-STD-750，GB-T2423，AEC-Q101，AQG-324，開展第三代半導體系統性檢測分析技術的研究，牽頭或參與相關國家/行業/權威團體標準或規范的制定。

　　考核指標：

　　1)建立第三代半導體功率器件功率循環壽命模型：建立一個至少包含三個參數(芯片溫度差ΔTj，芯片最高溫度Tjmax，測試電流導通時間ton)的SiC與GaN功率器件的功率循環測試壽命模型，其測試導通時間ton跨度在0.1s至60s之間，芯片的溫降ΔTj范圍60-120K，最高芯片溫度Tjmax范圍為100-175℃，老化壽命模型的預測誤差小于15%;建立多工況測試環境下器件可靠性壽命模型：綜合溫度循環、機械震動測試與功率循環測試等多種老化測試方法，提出至少1種測試壽命模型，在失效機理類似的情況下，預測功率器件的使用壽命，誤差小于15%;建立第三代半導體功率器件可靠性加速測試模型：改變高溫反偏測試、高溫高濕反偏測試、高溫柵極反偏測試的測試條件，使測試時間縮短至三分之一，而失效機理不變。

　　2)基于精確結溫監測技術，分別開發針對SiC與GaN材料的功率器件功率循環測試設備：該設備最大正向負載電流不低于200A，正向壓降不小于5V，柵極壓降變化范圍-20～+20V，設備支持的器件不少于6個，水冷溫度15-80℃，負載電流導通時間不小于0.1s，設備結溫監測精度與紅外攝像對比的差距不大于5%;滿足靜態測試與動態測試的要求，具備實時采集器件瞬態溫度響應曲線的能力，其采樣率及測試延遲低于1微秒，結溫分辨率0.1℃;

　　3)分別開發SiC與GaN功率芯片、第三代半導體功率器件與模塊的靜態和動態電學參數測試設備，支持測試最大導通電流1000A，最大阻斷電壓5000V;

　　4)建立符合國際和國內相關標準(IEC60747-9，AECQ101，AQG324，GB/T28046.3)的檢測分析評價方法，比較不同測量結溫的方法對于功率循環測試的影響，確立未來的失效標準;

　　5)項目實施期內，對外提供可靠性測試與失效分析檢測服務不少于200批次;

　　6)基于研究成果開發相關檢測分析設備不少于5種，申請發明專利10項，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。牽頭或參與不少于3項國家/行業/權威團體標準或規范的編制，并完成標準報批稿。

　　申報要求：本專題要求具有獨立法人資格的第三方檢測機構牽頭，聯合相關目標產品應用單位申報。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過1500萬元。

　　專題6：第三代半導體材料和器件制備研究及典型應用示范(專題編號：20190174)

　　研究內容：

　　針對第三代半導體材料和器件中具有產業化潛力的發展方向，設寬禁帶氧化鎵單晶材料與器件、低損耗高性能GaN基雙向阻斷功率器件、垂直結構氮化鎵功率器件、氮化鎵納米陣列生長與器件制備等4個課題，開展材料制備、器件研制關鍵技術及創新應用研究。

　　考核指標：

　　本專題由項目申報單位提出研究內容、具體可考核的技術、經濟指標和明確的工程應用方向，提出的技術指標應完備、可考核，具有國際先進性。相關技術成果需形成高價值知識產權;項目包含創新應用研究的，需提供具有展示性的原型器件、系統以及第三方檢測報告。

　　支持方式與強度：無償資助，設4個課題，每個課題原則上支持1項，每項不超過1000萬元。

　　三、評審及立項說明

　　省重點領域研發計劃項目由第三方專業機構組織評審，對申報項目的背景、依據、技術路線、科研能力、時間進度、經費預算、績效目標等進行評審論證，并進行技術就緒度和知識產權等專業化評估：

　　(一)技術就緒度與先進性評估。本專項主要支持技術就緒度4～7級的項目，其中，技術就緒度目前為4～6級的項目在完成后原則上應有3級以上提高，目前為7級的項目在完成后應達到9級，各申報單位應在可行性報告中按要求對此進行闡述并提供必要的佐證支撐材料。

　　(二)查重及技術先進性分析。將利用大數據分析技術，對照國家科技部科技計劃歷年資助項目與廣東省科技計劃歷年資助項目，對擬立項項目進行查重和先進性等分析。

　　(三)知識產權分析評議。項目研究成果一般應有高質量的知識產權，請各申報單位按照高質量知識產權分析評議指引的有關要求加強本單位知識產權管理，提出項目的高質量知識產權目標，并在可行性報告中按要求對此進行闡述并提供必要的佐證支撐材料，勿簡單以專利數量、論文數量作為項目目標。

　　擬立項項目經領域專家和戰略咨詢專家審議，并按程序報批后納入項目庫管理，按年度財政預算及項目落地情況分批出庫支持，視項目進展分階段進行資金撥付。

　　同一指南中的同一項目方向(或子方向)，原則上只支持1項(指南有特殊說明的除外)，在申報項目評審結果相近且技術路線明顯不同時，可予以并行支持。

　　廣東省科學技術廳

　　2019年9月19日

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