關于開展2019年度廣東省重點領域研發計劃“電子信息關鍵材料”重點專項的申報通知

各相關單位：

　　為落實《“十三五”廣東省科技創新規劃(2016-2020年)》，根據《廣東省重點領域研發計劃實施方案》，圍繞國家重大戰略、重大工程核心需求、我省戰略性新興產業發展關鍵材料與技術支撐需要，結合國際新材料前沿技術發展趨勢，重點關注產業發展需求程度高的關鍵領域，啟動實施“電子信息關鍵材料”重點專項。

　　一、專題內容

　　本專項按照芯片制造用光敏材料、芯片封裝用陶瓷劈刀、高品質聚酰亞胺、半導體濺射靶材四個專題共部署5個項目，每個項目支持1項，實施周期為3-4年。申報時項目研究內容必須涵蓋該專題/項目下所列的全部內容，項目完成時應完成該專題/項目下所有考核指標。每個專題/項目參研單位總數不得超過10個。除特別說明外，本專項要求企業牽頭申報，項目完成時項目成果需實現量產和銷售。鼓勵大企業聯合創新型中小企業、高校、科研院所等，產學研聯合申報。

　　專題一：高端芯片減薄工序臨時鍵合光敏材料及關鍵裝備(專題編號：20190180)

　　研究內容：

面向高端芯片/器件的高精度超薄晶圓級加工需求，研發滿足臨時鍵合/解鍵合的光敏材料、關鍵設備及成套工藝。主要研究內容如下：

　　(1)紫外激光響應材料的設計、配方優化及合成技術開發;

　　(2)臨時鍵合膠材料的配方設計及性能研究;

　　(3)整套臨時鍵合材料的工藝開發和驗證;

　　(4)紫外激光拆鍵合自動化設備的開發。

　　考核指標：

　　(1)紫外激光響應材料：

　　熱穩定性大于400℃(TGA，5wt%失重時溫度);涂覆層厚度<500nm，且厚度可調;涂覆層紫外吸收率>95%(308nm-UV)，涂覆層紫外吸收率>80%(355nm-UV);355nm-UV吸收率批次波動性小于5%，低溫儲存條件下質量穩定性大于6個月以上，材料產能達120升/月。

　　(2)臨時鍵合材料：

　　熱穩定性大于380℃(TGA，5wt%失重時溫度)，玻璃化轉變溫度低于80℃;楊氏模量小于1.5GPa;涂覆層厚度<40μm，且厚度可調;鍵合溫度小于200℃，鍵合壓力小于5kN;8寸晶圓激光解鍵合溫度小于40℃，單片激光解鍵合時間小于60秒;批次波動性小于5%，質量穩定性大于6個月以上(粘度變化≤±5%)，材料產能達200升/月以上。

　　(3)紫外激光拆鍵合設備：

　　加工前兼容產品尺寸：8英寸，12英寸;兼容產品厚度：0.05mm~1.0mm;激光波長：355nm;脈沖能量：1mJ@355nm;脈沖功率穩定性：<1%@355nm;設備UPH(每小時加工的12寸晶圓)大于30;光斑均勻性大于90%;8英寸、12英寸晶圓厚度可減薄至50微米以下。

　　(4)項目成果材料和設備在廣東實現量產，實現新增產值1億以上。

　　(5)申請發明專利10件，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　申報要求：本項目不限定牽頭申報單位屬性，但有產業化目標，須不少于項目總投入50%的自籌經費。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過1500萬元。

　　專題二：IC芯片封裝用陶瓷劈刀材料及應用研究(專題編號：20190181)

　　研究內容：

　　(1)高性能劈刀核心參數的研究與制造裝備的開發

　　基于芯片封裝用陶瓷劈刀型號和種類，研究劈刀關鍵尺寸與鍵合力、抗壓、抗彎以及抗錘擊等的影響規律，開發高性能劈刀制造設備。

　　(2)高性能劈刀原材料配方技術研究和開發

　　開發高性能陶瓷劈刀配方，研究成型技術及精細研磨加工工藝;制備高強度、高硬度、高質量陶瓷劈刀。

　　(3)長壽命、低磨損劈刀端面摻雜技術開發

　　基于精細研磨加工工藝，研究不影響表面粗糙度、精度以及焊接質量的摻雜方法，實現原有劈刀端面的降磨、自清洗以及增壽。

　　考核指標：

　　(1)陶瓷粉體一次粒徑≤80nm;粒度D50≤0.15μm;BET≥(18±2)m2/g;

　　(2)陶瓷劈刀性能指標：尺寸精度±1.5μm;表面光潔度Ra≤0.1μm，Rz≤0.8μm;硬度≥1900HV;抗彎強度≥600MPa;

　　(3)劈刀刀頭端面納米硬度大于22GPa，焊點數≥200萬次(焊接工藝條件：超聲電流90-130mA，焊接壓力25-60g，焊接時間15-30ms);

　　(4)實現量產并銷售，新增產值2億元以上;

　　(5)申請專利10件，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過1500萬元。

　　專題三：高品質聚酰亞胺基材及應用研究(專題編號：20190182)

　　項目1：柔性顯示用透明聚酰亞胺基材研發及應用

研究內容：

　　(1)研究面向柔性顯示的耐高溫、高透明襯底用聚酰亞胺前驅體，包括聚酰亞胺化學結構、組分、工藝及性能的相關性研究;開展聚酰亞胺薄膜的制備工藝研究;

　　(2)開展高透明性聚酰亞胺柔性蓋板材料研究，包括聚酰亞胺前驅體的化學結構設計、組分調控、制備工藝等，以及聚酰亞胺薄膜的制備工藝技術;

　　(3)研究聚酰亞胺薄膜的表面特性及復合技術，以及高透光柔性襯底-光電功能薄膜-金屬導電電極-多層薄膜封裝的集成技術。瞄準彩色柔性顯示的產業化應用，開展聚酰亞胺柔性襯底、蓋板與薄膜晶體管陣列和OLED或量子點、電子紙等顯示的集成技術研究，實現柔性顯示的產業化應用。

　　考核指標：

　　(1)聚酰亞胺柔性襯底的考核指標：①20μm厚度下薄膜的平均透光率≥88%，色度b值≤3，霧度≤0.8;②熱膨脹系數≤15ppm/℃@100-200℃;③抗拉強度>300MPa;④可涂布印刷制備薄膜;⑤黃變指數<4.5;⑥玻璃化轉變溫度>400℃。

　　(2)聚酰亞胺柔性蓋板的考核指標：①20μm厚度薄膜的平均透光率≥90%，色度b值≤3，霧度≤0.8;②熱膨脹系數≤15ppm/℃@100-200℃;③抗拉強度>310MPa;④可耐受反復折疊100,000次以上(最小半徑1mm);⑤黃變指數<0.6;⑥玻璃化轉變溫度>330℃。

　　(3)高透明聚酰亞胺材料實現穩定的批量化生產(飛行抽檢，良品率>85%)并銷售。聚酰亞胺柔性襯底、蓋板應用于分辨率不低于300ppi彩色柔性顯示屏。

　　(4)申請發明專利10件以上，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　(5)項目成果材料和設備在廣東實現量產，實現新增產值1億元以上。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2000萬元。

　　項目2：聚酰亞胺基無膠覆銅板基材產業化及應用

研究內容：

　　(1)開發高品質聚酰亞胺前驅體，包括單體、填料、多層結構的設計及制備;

　　(2)研究聚酰亞胺組分、結構、工藝與性能的相關性;

　　(3)進行納米分散、填充制膠、懸浮涂布線、亞胺化設備的開發及驗證;

　　(4)開展高品質聚酰亞胺的表面改性技術、復合技術的開發及工程化驗證;

　　(5)研究聚酰亞胺高端柔性覆銅板穩定化生產技術，并在新一代信息技術領域的典型應用(場景)中進行驗證。

　　考核指標：

　　(1)Dk/Df(15GHz)≤3.2/0.003，插入損耗(15GHz)<-2dB/10cm，剝離強度≥0.7N/mm(銅箔厚度不超過12微米);

　　(2)吸水率(E-1/105+D-24/23)≤0.5%;

　　(3)耐浸焊性340℃、30Sec不分層不起泡;蝕后卷曲度≤1.0%;

　　(4)熱膨脹系數(蝕后，RT-250℃)≤25ppm/K;尺寸穩定性(E-0.5/150)≤±0.05%;

　　(5)燃燒性UL94V-0;耐折性(無壓膜，R=0.38mm，n=175r/min，G=500g)≥150次;耐化學性(剝離強度保持率)≥90%;

　　(6)表面電阻(濕熱)≥1.0E+05MΩ;體積電阻率(濕熱)≥1.0E+06MΩ?cm;電氣強度≥80kV/mm;

　　(7)在手機天線、傳輸線，高速連接器(USB3.1)等開展驗證，項目結題時銷售量超過20萬平方米;

　　(8)實現穩定化量產(飛行抽檢，良品率>85%)并銷售，實現新增產值2億元以上;

　　(9)申請發明專利10件以上，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過1500萬元。

　　專題四：薄膜晶體管用高遷移率氧化物半導體濺射靶材研究及應用(專題編號：20190183)

　　研究內容：

開發TFT基板用具有自主知識產權的高遷移率金屬氧化物有源半導體材料，研究高品質金屬氧化物原料制備技術，開發高世代金屬氧化物靶材制備技術、配套的薄膜制備技術、金屬氧化物TFT制備工藝等，研究可用于8.5代生產線及以上的生產工藝及與OLED顯示的集成工藝。鼓勵采用自主技術的國產化設備研制靶材。

　　考核指標：

　　(1)靶材材料純度>99.99%;相對密度在99%以上;靶材平均晶粒尺寸<10μm;組分均勻性±0.5%;抗彎強度≥80MPa。

　　(2)金屬氧化物半導體TFT器件遷移率>30cm2/(V?s);亞閾值擺幅<0.3dec/V;開關比>109;

　　(3)光照穩定性：采用亮度為10000cd/m2的白光LED直接照射TFT器件溝道，閾值電壓變化<1V;正/負電壓光照穩定性(P/NBIS)評估：在亮度為10000cd/m2的白光LED持續照射下，在柵極與源極(Vgs)端施加20V或-20V的電壓，持續時間為2小時。要求正向閾值電壓(PBIS)變化量<1.5V，反向閾值電壓(NBIS)變化量<1V;

　　(4)具有8.5代或以上金屬氧化物半導體旋轉靶材和平面靶材的制備能力;

　　(5)項目承擔單位具備大尺寸靶材綁定制備能力，形成申請發明專利10件以上，圍繞項目形成的創新成果發表高水平論文，開發新產品5個以上，新產品實現年產能達60噸，項目驗收時產品年銷售>40噸，實現新增產值1億元以上。

　　支持方式與強度：無償資助，每項不超過2000萬元。

　　二、申報要求

　　(一)項目申報單位(包括科研院所、高校、企業、其他事業單位和行業組織等)應注重產學研結合、整合省內外優勢資源。申報單位為省外地區的，項目評審與廣東省內單位平等對待，港澳地區高校院所按照《廣東省科學技術廳廣東省財政廳關于香港特別行政區、澳門特別行政區高等院校和科研機構參與廣東省財政科技計劃(專項、基金等)組織實施的若干規定(試行)》(粵科規范字〔2019〕1號)文件精神納入相應范圍。

　　省外單位牽頭申報的，經競爭性評審，擇優納入科技計劃項目庫管理。入庫項目在滿足科研機構、科研活動、主要團隊到廣東落地，且項目知識產權在廣東申報、項目成果在廣東轉化等條件后，給予立項支持。

　　(二)堅持需求導向和應用導向。鼓勵企業牽頭申報，牽頭企業原則上應為高新技術企業或龍頭骨干企業，建有研發機構，在本領域擁有國家級、省部級重大創新平臺，且以本領域領軍人物作為項目負責人。鼓勵加大配套資金投入，企業牽頭申報的，項目總投入中自籌經費原則上不少于70%;非企業牽頭申報的，項目總投入中自籌經費原則上不少于50%(自籌經費主要由參與申報的企業出資)。

　　(三)省重點領域研發計劃申報單位總體不受在研項目數的限項申報約束，項目應依托在該領域具有顯著優勢的單位，加強資源統籌和要素整合，集中力量開展技術攻關。不鼓勵同一單位或同一研究團隊分散力量、在同一專項中既牽頭又參與多個項目申報，否則納入科研誠信記錄并進行相應處理。

　　(四)項目負責人應起到統籌領導作用，能實質性參與項目的組織實施，防止出現拉本領域高端知名專家掛名現象。

　　(五)項目內容須真實可信，不得夸大自身實力與技術、經濟指標。各申報單位須對申報材料的真實性負責，要落實《關于進一步加強科研誠信建設的若干意見》(廳字〔2018〕23號)要求，加強對申報材料審核把關，杜絕夸大不實，甚至弄虛作假。各申報單位、項目負責人須簽署《申報材料真實性承諾函》(模板可在陽光政務平臺系統下載，須加蓋單位公章)。項目一經立項，技術、產品、經濟等考核指標無正當理由不予修改調整。

　　(六)申報單位應認真做好經費預算，按實申報，且應符合申報指南有關要求。牽頭承擔單位原則上應承擔項目的核心研究任務，分配最大份額的項目資金。項目研究成果須在廣東轉化和產業化。

　　(七)有以下情形之一的項目負責人或申報單位不得進行申報或通過資格審查：

　　1.項目負責人有廣東省級科技計劃項目3項以上(含3項)未完成結題或有項目逾期一年未結題(平臺類、普惠性政策類、后補助類項目除外);

　　2.項目負責人有在研廣東省重大科技專項項目、重點領域研發計劃項目未完成驗收結題(此類情形下該負責人還可作為項目組成員參與項目申報);

　　3.在省級財政專項資金審計、檢查過程中發現重大違規行為;

　　4.同一項目通過變換課題名稱等方式進行多頭或重復申報;

　　5.項目主要內容已由該單位單獨或聯合其他單位申報并已獲得省科技計劃立項;

　　6.省內單位項目未經科技主管部門組織推薦;

　　7.有尚在懲戒執行期內的科研嚴重失信行為記錄和相關社會領域信用“黑名單”記錄;

　　8.違背科研倫理道德。

　　三、評審及立項說明

　　省重點領域研發計劃項目由第三方專業機構組織評審，對申報項目的背景、依據、技術路線、科研能力、時間進度、經費預算、績效目標等進行評審論證，并進行技術就緒度和知識產權等專業化評估：

　　(一)技術就緒度與先進性評估。本專項主要支持技術就緒度4～7級的項目，其中，技術就緒度目前為4～6級的項目在完成后原則上應有3級以上提高，目前為7級的項目在完成后應達到9級(技術就緒度評價標準及細則見附件2)，各申報單位應在可行性報告中按要求對此進行闡述并提供必要的佐證支撐材料(可行性報告提綱可在陽光政務平臺系統下載)。

　　(二)查重及技術先進性分析。將利用大數據分析技術，對照國家科技部科技計劃歷年資助項目與廣東省科技計劃歷年資助項目，對擬立項項目進行查重和先進性等分析。

　　(三)知識產權分析評議。項目研究成果一般應有高質量的知識產權，請各申報單位按照高質量知識產權分析評議指引(見附件3)的有關要求加強本單位知識產權管理，提出項目的高質量知識產權目標，并在可行性報告中按要求對此進行闡述并提供必要的佐證支撐材料(可行性報告提綱可在陽光政務平臺系統下載)，勿簡單以專利數量、論文數量作為項目目標。

　　擬立項項目經領域專家和戰略咨詢專家審議，并按程序報批后納入項目庫管理，按年度財政預算及項目落地情況分批出庫支持，視項目進展分階段進行資金撥付。

　　同一指南中的同一項目方向(或子方向)，原則上只支持1項(指南有特殊說明的除外)，在申報項目評審結果相近且技術路線明顯不同時，可予以并行支持。

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